美光科技要靠最尖端産品和亞洲挽回劣勢
2021/02/05
美國半導體廠商美光科技將在此前起步較晚的NAND型記憶卡業務上從亞洲開始挽回劣勢。該公司已通過新加坡的工廠啟動最尖端産品的量産供貨。這款産品是在世界範圍內首次實現將存儲單元堆疊176層的NAND記憶卡。美光科技通過充分利用豐厚的政府扶持等地利,力爭在日趨激化的投資競爭之中贏得一席之地。
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「在DRAM和NAND兩方面都獲得了技術領先」,美光科技的首席執行官(CEO)桑喬伊·莫羅特亞(Sanjay Mehrotra)在1月發佈2020年9~11月財報後的電話記者會上這樣自信地説。
半導體記憶體分為用於數據臨時存儲的DRAM和用於長時間存儲的NAND這2大領域。美光科技在DRAM領域掌握23%市佔率,與南韓三星電子和南韓SK海力士一起形成3家壟斷的體制。但美光科技在NAND的市佔率僅為11%,排在第4位,明顯落後於居首位的南韓三星電子、在設備投資方面展開合作的日本鎧俠 (KIOXIA Corporation,原東芝半導體)與美國西部數據(WD)的聯盟。
NAND在智慧手機和個人電腦等領域廣泛使用,還不斷應用於中美IT企業展開投資競爭的數據中心。增加存儲容量的關鍵是在晶片之中堆疊存儲單元的「堆疊化」。美光科技於2020年11月啟動了176層産品的量産供貨,並配備於自主品牌的記憶體「solid state drive(固態硬碟,SSD)」。
176層NAND實用化
堆疊的層數越多,單位面積的存儲容量也將隨之增加,借此可以實現保存更多的數據或讓存儲設備更為節省空間。三星、鎧俠—西部數據聯盟仍未實現176層的産品化,目前在美光科技的競爭對手中,只有南韓SK海力士宣佈2021年中期啟動量産。雖然堆疊化以外的技術和産品的良品率也將對誰能贏得競爭産生影響,但在176層産品方面的領先地位有可能成為挽回劣勢的基礎。
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美光科技在新加坡啟動了最尖端NAND的量産 |
支撐美光科技NAND業務的是其在新加坡的基地。1998年通過從其他公司收購業務進駐新加坡,進入2010年代後相繼推進大型投資,截至目前累計投入1.5萬億日元以上。2019年,第3座NAND主力工廠的廠房竣工。美光科技全球運營執行副總裁Manish Bhatia指出,該工廠的特點是「正在將開發、製造和品質管理等功能集中於一處」。
新加坡積極吸引半導體産業的政策廣為人知。據波士頓諮詢(BCG)估算,如果將在美國運營尖端記憶體工廠10年的成本定為100,新加坡則僅為79。主要原因是設備投資和法人稅的優惠政策的差異。這一成本還低於美光科技的競爭對手鎧俠設置記憶體工廠的日本(99)和三星等擁有工廠的南韓(81)。
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美光科技的solid state drive(固態硬碟)(REUTERS) |
新加坡政府為了推動産業升級,出台了扶持研發的政策。在2016~2020年的五年規劃《研究、創新與企業2020計劃》(RIE2020)中,將工廠自動化等尖端製造業的強化列為重點,還與美光科技展開了合作。在2021~2025年的《研究、創新和企業2025計劃》(RIE2025)中,還將採用人工智慧(AI)等的製造業産業升級定為重點關注領域之一。
受記憶體行情改善等推動,美光科技的業績表現搶眼。2020年9~11月的合併財報顯示,營業收入同比增長12%,達到57億7300萬美元,而營業利潤增長67%,增至8億6600萬美元。
行業重組正被推進
但在行業內,旨在擴大規模的合縱連橫不斷被推進,競爭環境日趨嚴峻。在NAND領域居行業第5位的SK海力士2020年宣佈收購居第6位的英特爾的業務。如果實現收購,將超過美光科技,成為僅次於三星、鎧俠—西部數據聯盟的一大勢力。SK持有鎧俠的附新股認購權公司債(可轉換公司債、CB),計劃在鎧俠上市後取得約15%的股權。
在英特爾出售業務之前的2018年,美光科技取消了與該公司一直推進的在NAND領域的合作。為了確保呈現短缺態勢的製造設備和原材料,規模的擴大變得重要。如果美光科技在NAND行業的重組中掉隊,「存在一家獨輸的風險」(分析師)。這種擔憂正逐漸浮現。另外,此次最尖端産品的成敗還將左右今後的行業版圖。
雖然涉足的産品領域有所不同,但世界最大半導體代工廠商台積電(TSMC)將2021年的設備投資額提高至創出歷史新高的280億美元。以記憶體和代工為主力業務的三星半導體部門的設備投資額2021年也將首次突破3萬億日元。
美光科技除了在開發下一代記憶體等的美國之外,還在新加坡生産NAND記憶卡,在日本和台灣生産DRAM。該公司計劃在2021財年(截至2021年8月)展開90億美元的設備投資。預計其中大部分將投向亞洲地區。該公司還計劃2021年在馬來西亞新建記憶體工廠。在中美展開高科技摩擦的背景下,激烈的半導體投資競爭的重心有可能逐漸向亞洲傾斜。
日本經濟新聞(中文版:日經中文網)龍元秀明
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