日本大型半導體製造設備企業愛發科（ULVAC）已開始提供可提高半導體和螢幕生産設備良品率（合格率）和耐久性的表麵處理服務。通過特殊保護膜，防止真空設備的內壁或零部件受到腐蝕，不易排放出含有微塵和雜質的氣體。愛發科計劃面向最尖端半導體製造等領域開拓需求。

   

      　　  

　　愛發科開發的耐腐蝕性表麵處理技術「VACAL-Z」可在真空設備內部形成厚度為15微米左右的氧化鋁覆膜。這種氧化覆膜含有無數細小的空隙（孔）。這些孔可以緩和應力，即便反覆暴露在高溫下，氧化覆膜也不易産生裂紋。因為不會出現裂紋，耐腐蝕性很難下降。

   　　

　　普通表麵處理技術同樣採用形成氧化鋁覆膜（Almite）的方式，但由於沒有空隙，在反覆受熱膨脹收縮的過程中會産生裂紋，由此導致腐蝕範圍擴大。裂紋部分會産生微塵，一旦附著在生産中的半導體或螢幕表面，就會造成無法順利形成電路等不良影響。

 　　

　　用於形成覆膜的大多數電解液中含有雜質，影響製造工藝。按照以前的處理方式，雜質會被吸收到覆膜中，成為導致半導體元器件等性能降低的原因。

   

   　　

　　VACAL-Z處理技術通過使用不含鈉、鉀、磷等元素（這些元素會變成雜質）的電解液，改善了元器件的良品率。由於能夠形成結晶性覆膜，與原來的處理技術相比，氣體釋放量也降至十二分之一。

   　　

　　最尖端的半導體不斷微細化，電路線寬減至幾奈米。不過，要製造微細的構造，需要能把垃圾和雜質控制在極限低水準的製造設備。

     

    　　

　　VACAL-Z把要表麵處理的對象物浸入電解液中，作為陽極載入電壓。如果載入比普通氧化鋁覆膜處理更高的電壓，會引起電擊穿，同時覆膜生長，形成有無數小孔的構造。

     　　

　　VACAL-Z表麵處理技術是愛發科從大約10年前，開始面向自家平板螢幕製造設備開發的。其間接到了很多客戶的諮詢，想把這一技術應用於其他企業的設備上。受此影響，愛發科最近已開始提供此項服務。VACAL-Z技術可以應用於內部真空的反應室部件、加熱器、氣體擴散板等。價格根據對象物的面積、形狀、處理數量及覆膜厚度等確定。

    　　

　　日本經濟新聞（中文版：日經中文網）佐藤雅哉

 　　

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