瑞薩電子8月30日宣佈，開始供應電動汽車用功率半導體新産品的樣品。該産品叫做IGBT（絕緣柵雙極電晶體），使用矽，用於負責純電動汽車（EV）馬達控制的逆變器。採用新的量産技術，電力損失比該公司舊有産品減少1成，尺寸也減小了1成。

 

新産品尺寸和電力損失均縮小

 

       新産品將從2023年上半年開始在茨城縣那珂工廠量産，從2024年上半年開始在山梨縣甲府工廠生産。該工廠將成為功率半導體專用生産基地。

 

       小型晶片也提高了電力效率，該公司表示「作為IGBT將發揮行業最高性能」。還降低了每種元件的偏差等，有利於提高逆變器性能和小型化。

 

       新産品將與瑞薩的其他半導體和軟體搭配提供。除了與該公司關係深厚的歐洲及日本車載部件廠商外，還將滿足存在感日益增強的中國等新興廠商的需求。

 

       關於IGBT産品的銷售結構，出席30日的説明會的小西勝也功率系統業務部部長表示，「現在國外佔50％左右，希望用3～4年提高到7成左右」。

 

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