NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       日本從事半導體研發的Novel Crystal Technology（NCT，埼玉縣狹山市）發佈消息稱，該公司與日本酸素控股旗下的大陽日酸、東京農工大學一起，成功實現了氧化鎵功率半導體的6英吋成膜。由於可在較大晶圓上成膜，估計可大幅削減晶圓生産成本。氧化鎵功率半導體被期待幫助純電動汽車（EV）等減少電力消耗。

在6英吋晶圓上成膜的場景

      這是作為日本新能源産業技術綜合開發機構（NEDO）的戰略項目實現的研發。大陽日酸和東京農工大學開發了可按6英吋晶圓進行成膜的裝置。

      以往的技術只能在最大4英吋晶圓上成膜，NCT在世界上首次實現6英吋的成膜。有助於削減生産成本，有望把成本降到「碳化矽（SiC）功率半導體的三分之一」（NCT相關人員）。

      據NCT預測，氧化鎵晶圓的市場到2030年度將擴大到約590億日元規模。該公司的目標是在確立晶圓量産技術後，2024年度銷售晶圓的量産裝置。將銷售給大型功率半導體廠商，用於實現純電動汽車等的節能。