NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      7月3日，中國商務部和海關總署宣佈，將作為半導體等原材料的鎵相關産品列入出口管制對象。從8月1日起，中國的出口商未經當局批准不得出口。有分析認為，這是針對在美國主導下加強尖端半導體出口等對華管制的反制措施。

中美之間的半導體相關管制措施在不斷強化（Reuters）

      使用鎵的化合物半導體在電子設備中不可或缺。氮化鎵(GaN)用於雷射用途等，日本企業在相關基板市佔率方面全球領先。面向純電動汽車功率半導體的用途今後也有望普及。

      為了減少電力損耗，日本尼得科（Nidec)和瑞薩電子正在研究採用氮化鎵基板。美國地質勘探局的數據顯示，中國的鎵産量佔到全球的98%。

      由日本AGC和JX金屬出資的新興公司Novel Crystal Technology正在推進氧化鎵作為新一代晶圓的研究開發。

      如果無法從大量供應鎵的中國採購，就需要在生産時尋找替代的進口來源。企業無法廉價採購鎵，或將對這些最尖端技術的實用化産生影響。

      中國於2020年12月實施了加強戰略物資等出口管制的《出口管制法》。能夠以安全保障等為由，禁止向特定外國企業出口。鎵的出口管制是基於這項法律等。過去，用於電力和金融加密技術和防止數據洩露的半導體在出口時採取了許可制。

      美國《華爾街日報》報導稱，美國政府正在討論擴大對中國半導體出口管制的範圍。將針對尖端人工智慧(AI)所需的半導體擴大對象。有分析認為，中國的措施是針對美國等對華出口管制的反制措施。

      日本經濟新聞（中文版：日經中文網）川手伊織 北京報道