NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      美國半導體企業美光科技（Micron Technology）將增産用於智慧手機等産品的半導體記憶體。將向去年收購的原爾必達記憶體位於日本廣島的工廠投資1千億日元，力爭2015財年（截至15年8月）內將産能提高20%。今年美光科技在該工廠時隔3年重啟大規模投資，計劃通過積極投資來追趕在相關領域位居全球首位的南韓三星電子。

      美光科技將在廣島增産使用最尖端微細加工技術（線寬為20奈米）的DRAM。和上一代25奈米線寬相比，從1枚晶圓上可以獲得的半導體晶片數量將增加約20%，生産效率將大幅提高。美光科技還將在旗下的台灣工廠實施增産投資，爭取將美光整體的DRAM供給能力提高20%。

      美光本財年計劃在全球實施38億美元的設備投資，將把一半左右用於DRAM。該公司的首席執行官（CEO）馬克·杜爾坎(Mark Durcan)在接受日本經濟新聞（中文版：日經中文網）採訪時表示“移動終端和伺服器等産品的DRAM需求旺盛，今後也將根據市場動態，積極實施投資”。

      關於長期保存數據的NAND型快閃記憶體，杜爾坎表示將在2015年推出使用最尖端三維技術的産品。三星佔據領先優勢的産品方面，計劃在原爾必達的秋田工廠完成部分生産工序。
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