NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       東芝將於2017年度採用新技術生産用於智慧手機等的NAND型記憶卡。這是一種類似於蓋印章的電路形成技術，與原來的方式相比，工序成本被認為可降至三分之一。該類型記憶體的生産是處於經營重建的東芝的核心業務。將通過與大日本印刷等材料和設備廠商合作提高成本競爭力，以追趕份額高居榜首的南韓三星電子。

       東芝將導入與大日本印刷和佳能3家公司共同研究的名為「奈米壓印光刻（NIL）」的新技術。計劃今後3年向半導體業務投資8600億日元，其中一部分將被用於引進採用新技術的記憶卡生産線。計劃於2017年度在三重縣的四日市工廠啟動生産，並在預定於2018年度投産的新製造車間完工後正式進入量産體制。

       與原來的方式相比，新技術將電路底板像印章一樣蓋壓到矽晶圓上，可將名為光刻工序的電路形成階段的成本降至三分之一左右。

       此前的方式需採用特殊光源裝置和高精度透鏡，設備成本較高。從記憶體的整個製造工序來看，預計可削減成本約10%。

       NAND型記憶卡在手機視頻等數據存儲用途方面的需求一直不斷增加。除了智慧手機之外，今後面向數據中心存儲裝置的市場估計也將持續擴大。

       東芝通過出售白色家電業務及醫療設備子公司，將經營資源集中到半導體及核電設備等領域，以加緊進行經營重組。在作為半導體業務的主力、全球市佔率排名第二的NAND型記憶卡領域，將通過向四日市工廠進行鉅額投資以及引進新技術來追趕三星。

       圍繞半導體的電路形成技術，荷蘭半導體設備廠商阿斯麥（ASML）正在美國英特爾和三星的幫助下，研發採用被稱為超紫外線的短波光「EUV曝光」技術。由於利用此前的技術已難以提高半導體的性能，因此東芝等全球半導體廠商競相開發新一代生産技術，並將其投入實用。
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