NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       半導體的電路線寬越細，運算處理和存儲容量的性能越好，耗電量也將下降，因此半導體廠商一直競相開發微細化技術。自2010年前後起，技術發展開始停滯，但極紫外線（EUV）光刻這一新技術問世，作為打破目前極限的突破口而受到期待。

三星的産品（資料圖，kyodo）

       極紫外線光刻設備由荷蘭的ASML壟斷，價格被認為每台約合150億日元，要建立生産線，需要數千億日元規模，沒有資金實力和技術實力難以啟動投資。

       世界第3大代工企業美國格芯（Global Foundries）難以承受鉅額負擔，放棄了電路線寬14奈米以後的開發。排在第4位的台灣聯華電子（UMC）也沒有取得進展。

       有能力展開鉅額投資的僅限於三星、台積電（TSMC）和美國英特爾這「半導體3強」。

       極紫外線光刻：在矽基板上形成半導體微細電路的光刻技術之一。光源採用波長13.5奈米這一極短的極紫外線（EUV）。光源的波長越短，越能形成微細的電路，能進一步提高半導體的性能。不過，技術門檻很高，只有荷蘭ASML一家企業能製造設備。佳能和尼康已放棄開發。