NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　南韓三星電子3月25日發佈消息稱，在半導體生産的主要工序中投産了使用新一代「EUV（極紫外線）」光刻設備的量産線。在半導體記憶體領域，全球首家使用EUV光刻設備。三星時隔約20年正式引入新一代生産技術。

三星在華城工廠使用EUV光刻設備量産記憶體（圖片由三星電子提供）

　　EUV是波長只有13.5奈米（奈米為10億分之1米）的極短極紫外線。光刻設備被用於在矽晶圓上刻出半導體線路的重要工序。使用EUV光刻設備，能夠以更短時間刻畫出細微電路，從而降低製造成本。三星方面表示，「與以往的技術相比，不僅能夠提高記憶體的性能，生産效率也將提高至2倍」。

　　三星向首爾近郊華城工廠的DRAM生産線中引入EUV光刻設備，並開始以100萬個為單位供應最尖端的記憶體産品。計劃2020年內在平澤工廠也引入同樣的量産線。

　　三星是全球最大的記憶體生産商。第2大記憶體廠商南韓SK海力士計劃2021年在DRAM生産線中引入EUV光刻設備。

　　三星在2000年代初期引入了目前主流的「ArF」光刻技術。但是在左右半導體性能的線路寬度細微化方面，ArF技術已接近極限。三星將活用新一代EUV技術，先於其他廠商量産高性能半導體。

三星（REUTERS）

　　在CPU等運算用半導體領域，EUV光刻設備已經被台灣積體電路製造（TSMC，台積電）和美國英特爾採用。三星開創了在半導體記憶體領域使用EUV光刻設備的先河。

　　EUV光刻設備由荷蘭廠商ASML生産，每台售價超過100億日元。有投資餘力的半導體廠商有限，三星力爭通過引入新技術來拉大與競爭對手的距離。

　　日本經濟新聞（中文版：日經中文網）細川幸太郎 首爾報道