NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      日本半導體製造商鎧俠（Kioxia，原東芝記憶體）研發出了約170層存儲單元堆疊的NAND型記憶卡技術，達到世界最先進水準。讀寫速度是現有112層産品的兩倍以上。在5G不斷普及的背景下，鎧俠認為高速、大容量的數據交換將增加，計劃開拓數據中心和智慧手機的需求。

      該技術由鎧俠與美國西部數據（WD）共同開發，將在「國際固態電路會議（ISSCC）」上發佈。將於2021年內投産，預計最早於2022年量産。

      鎧俠的競爭對手美國美光科技和南韓SK海力士已宣佈開發出176層産品。圍繞最尖端産品的開發競爭越來越激烈。