NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       南韓大型半導體企業SK海力士8月3日宣佈，開發出了主要半導體記憶體“NAND型快閃記憶體”的最尖端産品。把存儲數據所使用的記憶體元件層疊238層，可以將半導體晶片單位面積的數據容量比現行産品提高34％。該公司將於2023年上半年開始在南韓的工廠量産。

SK新開發的238層NAND型快閃記憶體

       半導體領域一直通過縮小電子電路線寬的“微細化”提高性能。智慧手機及個人電腦等數據存儲使用的NAND不再比拼微細化，而是比拼層疊記憶體元件的層數。SK的競爭對手美國美光科技7月宣佈已開始量産232層的NAND産品。

       與SK現有的176層産品相比，238層不僅可以提高數據容量，還能將數據傳輸速度提高50％，讀取數據時的耗電量削減21％。

       在NAND市場排在首位的南韓三星電子正在量産176層産品，鎧俠控股與美國西部數據的聯盟計劃2022年內開始量産162層産品。SK于2021年收購了美國英特爾的NAND業務，將使尖端産品量産步入正軌，挑戰三星。