NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      日本半導體企業Rapidus為了實現新一代半導體的日本國産化，正在加快引進美歐的技術。日本在半導體的製造設備等領域具有優勢，但在被稱為“2奈米”的新一代半導體生産方面，缺乏蝕刻微細電路的技術等。將從美國IBM等美歐企業獲取缺乏的技術。半導體具有超過500道工序，量産面臨的課題仍很多。

合影的Rapidus社長小池（左2）、美國IBM高級副總裁達裏奧·吉爾（中間）等人（13日，東京都內）

      日本有很多在半導體製造設備和材料等領域具備較高技術實力的企業。在原材料領域，信越化學工業在成為電路基板的硅晶圓的市場份額上排在世界首位。而在電路製造過程中在基板表面形成膜及加以清洗的製造設備領域，Tokyo Electron具有優勢。

      12月13日在東京都內召開記者會的IBM高級副總裁達裏奧·吉爾（Dario Gil）表示，“日本具備使計劃取得成功所需的要素”。

      另一方面，日本國內的半導體廠商于2010年代停止投資相當於智慧手機等“大腦”的邏輯半導體的尖端技術和生産設備。日本企業要量産新一代半導體，缺乏的技術和經驗很多。

      要生産新一代半導體，首先必須掌握電路的詳細結構。此前的邏輯半導體的電路結構接近於平面，但電路線寬2奈米（奈米為10億分之1米）的新一代産品進一步邁向微細化，必須改為立體結構。

      IBM于2021年在採用新結構的2奈米晶片試製上取得成功。Rapidus將獲得有關這種電路開發的技術授權。同一天參加記者會的Rapidus的社長小池淳義強調稱，“與具備技術的IBM建立了信任關係。能穩步實現（量産）”。

      接下來還需要生産層面的技術。12月6日，Rapidus與掌握最新製造技術的比利時研究機構imec就合作達成協定。將獲得微細化不可或缺的“EUV（極紫外）光刻”技術。