NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      南韓三星電子12月21日正式宣佈，將在日本橫濱市設立半導體技術的研發基地。三星電子將與日本的企業、大學和研究機構共同開髮尖端半導體的製造技術。三星對於尖端産品競爭中落後的危機感日趨加深，將加緊研發步伐。

三星將在日本設立半導體技術研發基地

      三星電子計劃于2024年在橫濱市的港未來區設立研究基地“先進封裝實驗室（Advanced Package Lab）”，計劃在未來5年投入超過400億日元（約合人民幣20.08億元），日本經濟産業省將最多補貼200億日元。據悉，將雇傭100名以上的研發人員。

      新基地將負責研發將半導體晶片成型、封裝為電子零部件的“後工序”製造技術。三星電子將深化與在後工序的材料和設備領域有優勢的日本企業的合作。在主原料硅晶圓上繪製微細電路的“前工序”技術創新的難度增加的情況下，三星電子力爭通過改進後工序來提高半導體性能。

      雖然從銷售額上看，三星是世界大廠，但其目前在尖端技術方面開始落後。在曾經最賺錢的主要産品DRAM領域，三星受到南韓SK海力士的猛烈追趕。

      根據調查公司集邦諮詢（Trend Force）的數據，2023年7～9月的DRAM市場份額中，排名第一的三星為38.9%，第二位的SK為34.3%。與去年同期相比，兩家公司的市場份額差距縮小了7.3個百分點。也有人擔憂三星可能失去其維持了30年的DRAM首位寶座。

      借助人工智慧(AI)技術的普及浪潮，SK在可以進行高速大容量處理的 “HBM(高寬頻記憶體)” ，即新一代DRAM方面領先。HBM採取將DRAM晶片堆疊起來的結構，對於後工序的組裝技術和材料的散熱性能等有要求。

      此外，在半導體代工業務上，三星與臺積電(TSMC)的差距也在加大。在最尖端半導體領域，左右今後競爭力的後工序技術也變得更加重要，三星正在急於提高良品率。

      三星正在尋求與有交易關係的，在後工序上有優勢的日本公司揖斐電和愛德萬，以及在材料技術上有優勢的日本新興企業和研究機構等的合作。在日韓關係改善的推動下，三星也正在計劃與材料大廠開展共同研究項目。

      日本經濟新聞（中文版：日經中文網）細川幸太郎 首爾、長尾裏穗 東京