NIKKEI——日本經濟新聞中文版

     東芝將於2016年度攜手南韓SK海力士共同啟動可大幅提高智慧手機等性能的新型半導體記憶體的量産。與目前産品相比，存儲容量將提高至10倍，同時可使配備這種記憶體的終端設備的耗電量減少至3分之2。而美國美光科技(Micron Technology)則力爭在2018年實現量産。

　 新型産品被稱為MRAM（磁性隨機記憶體），其特點是即使關掉電源，數據也不會消失。MRAM有望成為廣泛應用於個人電腦和智慧手機等的DRAM的升級換代産品。

　 使用新型記憶體後智慧手機等的電池待機時間將延長，同時類似視頻等的大量數據的交換將更加迅速。由於可實現電池等的小型化，眼鏡或手錶形狀的移動資訊終端的開發也有望得到推動。

　 東芝和SK海力士2011年就MRAM共同開發展開了合作，計劃2014年度內啟動試製品的供貨。試製品將由位於首爾郊外的SK海力士主力工廠生産。如果進展順利，2016年度將在南韓啟動量産。如果得到普及，還將討論建立合資公司，計劃投入1千億日元左右的資金，在日本或南韓建設專用生産線。

　 在MRAM領域，3大陣營正力爭投入實用化。美光科技與半導體製造裝置巨頭東京電子等日美約20家公司聯手，正在加快確立量産技術。而南韓三星電子也在進行開發。由於3大陣營在開發方面展開競爭，年供貨額約達2萬億7千億日元的DRAM的升級換代有望加速。
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