NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　南韓三星電子日前宣佈，位於中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投産。該工廠採用最尖端的3D技術，生産用於伺服器等的NAND記憶卡（V-NAND）。三星電子希望在IT（資訊技術）設備生産基地聚集的中國，構建可靈活供應作為基礎部件的半導體的體制，以提高針對東芝等競爭廠商的競爭力。

　　三星在西安的工廠的總建築面積為23萬平方米，佔地114萬平方米。於2012年9月開工建設。最初投資金額為23億美元。産能尚未公開。將根據市場情況等考慮增設生産設備，計劃總投資額最多為70億美元。由三星的全資子公司運營。

　　該工廠將生産垂直疊放存儲元件的3D結構半導體。三星領先其他公司於2013年在南韓華城工廠率先導入了該項技術。電路線寬為10奈米級（一奈米為十億分之一米）。據稱，與平面型NAND記憶卡相比，3D型NAND記憶卡不僅寫入速度更高，耗電量也大幅減小。

　　三星此前已在南韓和美國德克薩斯州設立半導體工廠，這是三星在第三個國家建設相關工廠。對在中國設立生産基地的原因，三星方面稱，「中國IT領域非常活躍，全世界V-NAND晶片有一半銷量在中國消化。在西安投産後，我們將就地供應，希望獲得好的成績」。

　　雖然南韓有人指出，在中國建設採用尖端技術的工廠會導致技術外流。不過三星認為，NAND記憶卡的技術門檻較高，涉足這一業務並非易事，所以不存在技術外流的問題。

　 （小倉健太郎　首爾報道） 版權聲明：日本經濟新聞社版權所有，未經授權不得轉載或部分複製，違者必究。