NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      全球最大的半導體切割設備製造商迪思科開發出了車用節能半導體的新型切割機，速度是過去的10倍。碳化矽（SiC）作為半導體材料的功率效率很高，但材質偏硬很難加工。迪思科將確立新一代功率半導體的量産技術，有望推動純電動汽車的普及。

迪思科研發的新設備

      已開始面向部分客戶供貨，將在訂單增加之後正式量産。

      碳化矽能降低電損失，來自EV及發電站等的需求迅速擴大。硬度是主流硅的1.8倍，在現已確認的礦物及化合物中，硬度僅次於鑽石和碳化硼，是第三硬的物質。

      現在的節能半導體用磨石切割圓盤狀半導體材料，將其分割成幾百個半導體晶片。與磨石相比，鐳射的切割速度更快，但鐳射切割碳化矽的力量很弱。

      迪思科開發的設備利用鐳射刻痕，再用板施壓以實現切割。切割速度是磨石的大約10倍。每台設備數千萬日元，將向全球半導體廠商擴大銷售。

      使用碳化矽的晶圓價格比硅高幾十倍。如果更方便加工，在量産效應下的生産效率會提高。有可能帶來半導體材料及節能半導體的價格下跌。日本國內的設備和材料廠商正在提高碳化矽的量産技術。KOKUSAI ELECTRIC將於2025年銷售高溫晶圓表面貼膜的新設備。