NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　針對生産最尖端的電路線寬為5奈米的半導體時使用的光掩膜（Photomask，掩膜板），日本凸版印刷最早將於2021年構建量産體制。應對用於5G和自動駕駛的高功能半導體需求擴大。此外，還力爭2023年面向3奈米線寬半導體實現光掩膜的産品化。

　　半導體的電路線寬越細，性能越高。目前台灣積體電路製造（台積電，TSMC）和三星電子已開始量産最尖端5奈米半導體，但這2家公司均自主生産光掩膜。生産5奈米線寬半導體需要支援新一代製造技術「EUV（極紫外）」的先進技術。

　　凸版印刷計劃，在僅次於三星等的「第2集團」廠商開始生産5奈米半導體時，獲得光掩膜的訂單。據稱隨著5G和自動駕駛市場擴大，處理大量數據的半導體需求增加。在此背景下，除了大型積體電路（LSI）之外，用於智慧手機等資訊存儲的DRAM等也將邁向微細化。

　　要大量生産微細電路的半導體，光掩膜是不可缺少的零部件。其發揮猶如照片「底片」的作用，用於在矽晶圓上轉印電路圖。