NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       羅姆開發出了控制氮化鎵（GaN）功率半導體的新技術。把通過IC（積體電路）切換電流開關時的時間縮短到了2納秒，僅為原來的四分之一。據悉有助於實現無人機及工業機械部件的小型化，最早將在2023年內開始供應樣品。

羅姆的氮化鎵功率半導體（左）和新開發的控制積體電路

       新開發的積體電路用於控制功率半導體的工作。氮化鎵功率半導體的優點是高速運作時的電力損失比傳統的硅功率半導體要少，但面臨著設計難度大的課題。羅姆通過調整電路的配置，能夠以比以往産品的9納秒更短的間隔進行控制。

       電流導通時間越短，電壓就越高，而用於功率半導體的控制積體電路可以處理這種電壓。通過高速切換，有利於減少電壓轉換部件，減小整個設備的尺寸。

       新開發的積體電路有望應用於使用氮化鎵功率半導體的無人機、工業機械及機器人等。