NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       在遲遲不能走出困境的半導體記憶體行業，新一代DRAM技術正備受關注。那就是通過層疊具有代表性的記憶體的DRAM晶片來實現高速大容量數據處理的“HBM（高頻寬記憶體）”。隨著人工智慧（AI）的普及，需求出現猛增。作為擺脫記憶體不景氣的“救世主”，業界對HBM的期待正在升溫。

DRAM研發競爭進入新階段（SK海力士的研發基地）

      HBM是南韓SK海力士于2013年開發的新型存儲結構。這是一種通過層疊多個DRAM晶片來提高數據處理速度的技術。目前受到關注的AI需要處理大容量數據，而HBM作為最用於AI的臨時記憶體已開始被採用。

      用於長期保存數據的NAND型快閃記憶體的層疊技術是在電路形成工序的“前工序”中層疊存儲元件。而HBM是在作為組裝工序的“後工序”中層疊DRAM晶片，利用電子電路將多個半導體晶片連接起來。

      據稱，通過這種方法，能夠以三維結構在半導體封裝內佈滿電子電路，使數據處理速度提高到普通DRAM的10倍以上。SK海力士的第5代産品“HBM3e”（預定2024年啟動量産）的數據處理速度可達到每秒1.15TB （太字節）。

      HBM技術之所以受到關注，是因為機器學習型AI不斷普及。大容量數據處理需要超高速DRAM。

      SK海力士正與AI半導體大企業美國英偉達合作，推進HBM開發。英偉達的圖像處理半導體（GPU）同時處理大容量數據的性能出色，起輔助作用的DRAM也需要具有高速大容量的處理性能。

      由於記憶體市場低迷，SK海力士僅2023年1~6月就面臨7000億日元的鉅額虧損。為了削減成本，將把設備投資降至上年的一半以下，而研究開發投資僅微減。該公司認為“HBM市場將保持每年50％以上的增長幅度”，將加快技術開發。

      在DRAM領域佔4成以上份額的三星電子同樣致力於HBM的研發。由於並不是在前工序減小電路線寬的“微細化”，而是考驗晶片層疊技術，因此後工序也越來越重要。三星在日本橫濱市新設半導體開發基地也是為了與日本材料廠商深化合作，以確保HBM技術。

      在股票市場上，與因AI半導體特需而暴漲的英偉達股票一起，SK海力士的股價也在不斷上漲。南韓證券行業越來越多的看法認為：“隨著AI時代的HBM需求擴大，可以期待像智慧手機普及期一樣的行情助推效應”。

      日本經濟新聞（中文版：日經中文網）細川幸太郎 首爾