NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      9月22日，美國商務部公佈了半導體政府補貼的發放規則。以日本、南韓和台灣等國家和地區的企業為對象，企業在獲得補貼後，10年內禁止在中國進行半導體增産投資。尖端産品的産能最多只允許提高5%，上一代的通用産品最多允許提高至10%。

拜登政府迫使企業在美國和中國之間二選一

      美國政府為完善國內的半導體供應鏈，設立了約400億美元的補貼。臺積電、三星和英特爾等將利用補貼政策，正在美國建設工廠。

      新規則將於11月底生效，違反就要求返還補貼。獲得補貼的企業在中國的增産投資將受到大幅限制。作為投資對象，實質上迫使企業在美國和中國之間二選一。

      美國政府3月公佈了規則草案。雖然企業方面出現了要求修改的聲音，但確定版也並未進行大幅修改。

      在尖端産品方面，包括晶圓製造和封裝在內，不允許將産能提高至5%以上。從通用産品來看，以超過28nm的邏輯晶片、低於128層的NAND快閃記憶體為對象，禁止超過10%的産能增強。

      美國政府表示，全球大約有400家企業對補貼感興趣。美國政府也呼籲日本企業加以利用。

      日本經濟新聞（中文版：日經中文網） 飛田臨太郎 華盛頓報道