NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      Rapidus、東京大學將與法國半導體研究機構Leti合作，共同開發電路線寬為1奈米級的新一代半導體設計的基礎技術。2024年將正式開展人才交流和技術共用。將利用Leti的技術，構建有利於提高自動駕駛和人工智慧（AI）性能的1奈米産品供應體制。

      Rapidus正與美國IBM、比利時半導體研究開發機構imec進行合作，量産將於2027年實現的2奈米産品。1奈米産品預計在2030年代以後普及，功率及運算性能比2奈米高1～2成。1奈米産品也在考慮尋求與IBM合作。日美歐合作有利於穩定供應新一代産品。

      Rapidus、東大及理化學研究所等加入的研究機構“最尖端半導體技術中心（LSTC）”與Leti于10月簽訂了探討合作的備忘錄。

      雙方的目標是確立設計開發線寬為1.4奈米～1奈米的半導體所需要的基礎技術。1奈米産品需要不同於傳統的電晶體（元件）結構，Leti在該領域的成膜等關鍵技術上佔優。最尖端半導體技術中心將在試製品評估及人才派遣等方面進行合作。