NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      新一代通信標準“6G”的制定工作最早在2024年啟動。容易在市區連接的電波已經十分緊張，6G需要可靈活使用更高頻段的技術。NEC和富士通等日本企業都在大力開發支援高頻段的基站用半導體，打算在無線通信領域提高存在感。

      “已經做好了創造6G未來的準備”，無線通信技術國際標準化組織3GPP在12月上旬表示，將與各個國家和地區的相關團體一起著手制定6G技術標準。將在2024年以後正式展開討論，並開始向基站製造企業等徵集構成6G標準的候選要素技術。

  5G的10倍

      預計將於2030年前後普及的6G以實現每秒100GB左右的通信速度為目標，相當於現行“5G”的10倍。預計將在辦公室、工廠、醫院、教育等一線推動增強現實（AR）和虛擬現實（VR）技術普及。

      電波容易連接的1GHz以下頻段，被稱為“白金頻段（Platinum Band)”，已經分配給手機和電視廣播等。1G～100GHz頻段也被用於各種無線服務，空余頻段很少。能夠確保6G大容量通信所需頻寬的只有超過100GHz的“亞太赫茲波（Sub THz）”等。

      頻率高、波長短的電波很難繞過障礙物，而且容易在空氣中衰減。存在的另一個課題是“（收發電波的）天線元件的面積較小，接收時的功率會下降”（東京工業大學教授岡田健一）。

      要在高頻段實現穩定通信，高性能半導體必不可少。2019年開始普及的現行“5G”基站方面，NEC和富士通一直從外部採購半導體，但目前兩家廠商都在針對6G基站大力開發自己的半導體。

      NEC于10月發佈消息稱，試製出了支援150GHz頻段（預計6G將會使用）電波的通信用半導體。將多個天線元件和用來增強信號的放大器等整合在了一個晶片上。據NEC介紹，這是全球首次成功開發出可在4個不同頻段同步發送大容量電波的天線一體型半導體。

      試製該半導體時使用的電路線寬為22奈米（1奈米為10億分之一米）的CMOS（互補金屬氧化物半導體）製造工藝也被用於生産相機的圖像感測器等。目前已經確立穩定的低成本製造技術，而且適合量産。

      NEC高管渡邊望説：“處理高頻電波時，基站設備和半導體的設計密切相關”，NEC正在討論是否自己生産6G基站用半導體，但同時稱：“重要的是自己擁有技術”。

      富士通也在開發可耐受高功率的室外基站用半導體。為了能夠將容易衰減的高頻段電波傳送到遠方，半導體材料採用了耐久性高於硅的氮化鎵等材料。負責開發的關宏之就6G基站用半導體表示：“自産是一種方法”。