NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發出了用於“6G”的半導體成膜技術。研究團隊開發出了去除成膜過程中産生的雜質的方法，把電晶體材料的導電性提高到原來的約4倍。計劃應用於産業用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。

開發出的新材料可用於新一代高速通信（圖片由大阪大學助教林侑介提供）

　　實現超高速通信需要導電性強的電晶體。在基板上分別層疊電子生成層和電子轉移層的高電子遷移率電晶體（HEMT）備受關注。不過，現在電子生成層大多使用的氮化鋁鎵（AlGaN）中，導電性強的氮化鋁（AlN）的含有率為20～30％，新技術有望提高氮化鋁的比率。

　　研究團隊開發出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率電晶體（HEMT）製造技術。原來在成膜過程中氮化鋁表面發生氧化，由此産生的氧雜質改變氮化鋁的結晶，難以獲得高導電性。通過形成非常薄的鋁膜，還原表面的氧化膜，並使其揮發，解決了這一問題。由此，將導電性提高到原來的3～4倍。

　　特點是不需要使用價格高的氮化鋁基板，可以在直徑約5釐米的較大藍寶石基板上實現這一構造。不過，這次是利用研究用的方法成膜，研究小組計劃換成更實用的方法，在1年內試製出高電子遷移率電晶體。