NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      東京大學的教授小林洋平等人攜手味之素Fine-Techno （川崎市）等，開發出了在半導體封裝基板上形成直徑6微米（微米為100萬分之1米）以下微細孔洞的鐳射加工技術。利用此前的技術，約40微米是極限。力爭面向邁向微細化和高性能化的新一代半導體實現實用化。

      此次是與三菱電機、涉足鐳射振蕩器的Spectronix（大阪府吹田市）的聯合研究成果。

      利用此次開發的技術，可在Fine-Techno的絕緣薄膜上形成佈線用的微細孔洞。該絕緣膜用於連接印刷基板和CPU（中央處理器）等的封裝基板。具體來説，能以極短的時間間隔連續照射波長為266奈米（奈米為10億分之1米）的“深紫外鐳射”。充分利用了以人工智慧（AI）計算最佳鐳射照射方法的東京大學的技術，在使孔的尺寸比此前明顯縮小方面看到了眉目。

      2020年代後半期以後啟動量産的新一代半導體需要將封裝基板的佈線用孔降至直徑10微米以下。高性能的半導體將搭載于純電動汽車（EV）等，需求估計將會擴大，東京大學等將攜手推進實用化。