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台積電擬向3奈米線寬半導體投資超200億美元

2017/12/08

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  全球最大半導體代工企業台灣積體電路製造(簡稱台積電、TSMC)聯合首席執行官(CEO)劉德音12月7日表示,將向電路線寬為3奈米(奈米為10億分之1米)的新一代半導體投資超過200億美元。通過對尖端領域投入鉅資,領先於南韓三星電子等競爭對手。

    

台積電的半導體工廠

  

  劉德音7日下午在台灣北部新竹發表演講時透露了上述消息。目前美國蘋果新款iPhone等配備的10奈米線寬半導體屬於最尖端産品。7奈米産品將於2018年啟動量産,3奈米産品預計2022年量産。目前已具體落實3奈米産品項目的企業只有台積電。新工廠建在台南。

  

  半導體大體上分為負責存儲的記憶體和負責運算的邏輯半導體。台積電的産品以邏輯半導體為主,目前多面向智慧手機。該公司認為,2018年7奈米産品量産以後,在面向人工智慧(AI)和數據中心方面的需求有望激增。

  

  在半導體領域,縮小電路線寬成為降低成本和提高性能的關鍵。一方面,電路線寬的縮小導致生産難度提高,製造設備的價格正在暴漲。荷蘭半導體設備廠商阿斯麥(ASML)開發的「極紫外光刻(EUV光刻)」設備每台售價超過1億歐元。

    

  日本經濟新聞(中文版:日經中文網)伊原健作 新竹

  

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