NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　南韓三星電子12月20日宣佈，已啟動新型DRAM（動態隨機記憶體）的量産。該記憶體的電路線寬為最尖端的10奈米（10億分之1米）級。三星通過微細化將生産效率提高了3成，將應對全球不斷增長的數據中心需求。三星在半導體記憶體領域居全球首位，將在尖端産品的量産方面領跑，以甩開美國、日本競爭對手。

三星電子的華城工廠（京畿道華城市）

　　本次啟動量産的是被三星稱為「第2代」的10奈米級DRAM，存儲容量達到8GB。三星採用新設計，將數據傳輸速度提升超過10％，耗電量降低超過15％，主要面向數據中心的伺服器。同時，三星還計劃將新技術應用於智慧手機等移動終端用DRAM。

　　三星2016年2月啟動了10奈米級DRAM的量産。該公司僅表示，「各企業的標準有所不同」，並未透露具體數值。但有分析師分析稱，「以往産品為18奈米，此次微細化水準達到15～16奈米」。隨著微細化取得進展，1枚矽晶圓能生産的記憶體數量會增加，生産效率將隨之提高。因此除了部分用途之外，三星的DRAM基本上將全面轉向10奈米級。

　　全球第2大DRAM廠商南韓SK海力士2017年秋季啟動了18奈米DRAM的量産，但整體佔比還不到1成。預計15～16奈米産品的量産要等到2018年秋季。在三星方面，目前超過5成産品已為10奈米級，正向著全面10奈米級邁進。

　　由於大數據和人工智慧（AI）的普及使數據量呈爆炸式增長，DRAM和NAND型記憶卡的需求正在迅速擴大。2017年7～9月，三星半導體部門的營業利潤達到9.96萬億韓元，同比增至近3倍，連續4個季度創出新高。

　　目前全球範圍出現半導體記憶體短缺。有觀點認為，半導體行業進入了需求呈跨越式增長的「超級週期」階段。南韓野村證券指出，「明年DRAM仍將供不應求」。三星將通過向尖端産品過渡來增加産量，以應對旺盛的需求。

　　三星持續對半導體工廠進行鉅額投資，已在DRAM市場掌握約5成份額，在NAND掌握約4成份額，均高居全球首位。除了三星之外，DRAM市場上還有收購爾必達記憶體的美國美光科技、SK海力士，形成3家壟斷狀態。三星將通過投入尖端産品來鞏固領先地位。在數據中心的需求迅速擴大的NAND領域，三星也打算在技術開發方面領先，以甩開東芝等對手。

　　日本經濟新聞（中文版：日經中文網）鈴木壯太郎 首爾