NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       南韓三星電子的半導體記憶體主力基地平澤工廠的第二生産線投産。採用能大幅提升半導體性能、被稱為「EUV（極紫外）」的製造技術，開始供應最尖端的DRAM。在競爭對手還在對增産投資猶豫不決的情況下，最大記憶體企業三星仍持續進行投資。

       平澤工廠第二生産線的總建築面積約為13萬平方米，相當於16個足球場。計劃以此次的DRAM為開端，今後還將推進NAND型記憶卡的量産和半導體代工業務，總投資額超過30萬億韓元（約合人民幣1730億元）。

三星平澤工廠的第2條生産線（前）

       開始供貨的最尖端DRAM是被稱為「16GB LPDDR5」的智慧手機半導體。在記憶體生産中首次採用EUV技術，將半導體電路線寬縮小了1個級別。

       三星沒有透露具體數字，但有分析認為，電路線寬為15~16奈米。該公司計劃到2021年量産下一代DRAM。

       在DRAM的開發競爭方面，製造技術的難度逐漸提高，各家廠商此前一直停滯在17~18奈米。

       日本經濟新聞（中文版：日經中文網）細川幸太郎 首爾