NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      在用於個人電腦和高性能伺服器的尖端半導體開發方面，三維（3D）堆疊技術的重要性正在提高。在通過縮小電路線寬提高整合度的“微細化”速度放緩的背景下，3D技術將承擔半導體持續提高性能的作用。臺積電（TSMC）、英特爾等半導體大型企業以及日本的設備和材料廠商等正在競相展開技術開發。

      臨時存儲容量增至3倍

      1月，美國超微半導體公司（AMD）在世界最大的電子産品消費展“CES”上推出的個人電腦CPU（中央處理器）受到半導體行業的關注，“我們非常興奮能為大家提供配備3D技術的産品”。

      特徵在於其結構。通常是在相同硅基板上實現的運算和臨時存儲功能，但AMD的産品是由2枚不同的晶片分別承擔功能，在1個封裝內縱向疊加。這樣一來，臨時存儲的容量提高到通常的3倍，遊戲晶片的處理性能比此前産品提高了15％。AMD計劃將3D技術應用於伺服器CPU。

AMD在個人電腦CPU等産品上採用了3D技術

      在過去約50年裏，半導體性能提高的主角是在1個硅基板上嵌入大量微小電路的微細化。根據性能在18個月～2年內提高2倍的“摩爾定律”，微細化技術持續發展。英特爾1971年發佈的首款CPU的元件數僅有約2300個，蘋果最新發佈的“M1”晶片元件數達到160億個，增至約700萬倍。但是，進入2010年代後，線寬接近原子的尺寸，微細化的速度開始放緩。