NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      3月14日，三菱電機宣佈，將增産高效節能的碳化矽（SiC）功率半導體。計劃投資約1000億日元，在熊本縣菊池市的工廠建設新廠房。預計2026年度的晶圓産能將大幅增加，達到2022年度的5倍。

新工廠的印象圖

      2021～2025年度5年內，功率半導體相關設備投資將達到2600億日元。新增1300億日元，比原計劃（1300億日元）實現倍增。因為在純電動汽車（EV）普及等背景下，功率半導體的需求越來越大。到2020年度5年內的業績為1000億日元。

      新廠房將於2026年4月投産。在蝕刻電路的“前工序”， 三菱電機將首次使用生産效率更高的直徑200毫米的晶圓。2022年停産的液晶模組工廠將轉為生産功率版工體。在同樣負責前工序的熊本縣合志市的工廠也將增強150毫米晶圓生産設備。

      分割晶圓做成産品的“後工序”方面，三菱電機將在功率器件製作所（福岡市）投資100億日元建設新廠房。將分散的工藝集中起來。

      三菱電機2010年開始量産碳化矽功率半導體。據法國調查公司Yole統計，三菱電機2021年碳化矽功率半導體的全球份額排在第6名。在日本企業中僅次於排在第4名的羅姆。富士電機及東芝也進入世界前十。第一名是瑞士的意法半導體。

      三菱電機提出了到2025年度將功率半導體銷售額提高到2400億日元、比2021年度增長34％的目標。營業利潤率的目標是達到10％。現在佔主流的硅功率半導體也在增強生産，2022年4月在廣島縣福山市的新工廠開始量産。計劃2024年度開始使用300毫米晶圓進行量産。