NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      這是因為，在近10年裏使用的被稱為“FinFET”的半導體設計結構已達到極限。如果試圖進一步縮小電子線路的線寬，就會頻繁發生大量電流泄漏到不該有電流的地方這一現象。

      為了防止這種電流泄漏，各企業展開激烈競爭，長期推進開發的是被稱為環繞式柵極技術 (gate-all-around、簡稱GAA)的新設計結構“奈米片(nanosheet)”。臺積電已在這項開發上投入了約15年時間。

      美國 IBM、英特爾和三星等也一直在推進開發，但需要極為精細的加工技術，量産難度極大。三星于2022年部分引進了該技術，但“處於在投産上陷入苦戰的局面”(市場分析師)。為了推進尖端半導體國産化而在2022年夏季成立的日本Rapidus 也從IBM獲得技術，力爭實現量産，但能否成功仍是未知數。

      採用奈米片的2奈米晶片將成為最精密、最好的技術——2022年8月，臺積電的首席執行官(CEO)魏哲家在總部所在地新竹舉行的技術説明會上，面對在座的供應商管理層等，對2奈米晶片的實用化顯示出極大的自信。

      2023年1月，魏哲家在記者會上又表示2奈米晶片的開發進展比預期快，再次強調了進展的順利。已啟動的工程的進度也體現了這種自信。

  並未放慢投資步伐

      目前的半導體市場受全球性的通貨膨脹和經濟減速的影響，面臨始於2022年夏季的需求下滑。尤其是搭載于個人電腦和智慧手機的晶片需求低迷，呈現連臺積電的工廠開工率都出現下降的局面。

      儘管如此，預計臺積電今年仍將展開最多360億美元的設備投資，直接關係到競爭力的尖端領域的對台灣投資步伐並未放慢。在臺積電僅次於新竹的第2大基地所在的南部台南市，2022年底啟動量産的3奈米晶片的5個工廠的投産也迅速取得進展。

      佔全球份額逾9成的尖端半導體産品向台灣過度集中的局面今後將進一步加劇。日本經濟新聞的數據顯示，臺積電2020年以後公佈計劃的尖端産品新工廠數(7奈米晶片以上)僅在台灣就達到16個。

      而臺積電在海外，僅美國亞利桑那州有2個工廠。此外，在美國啟動3奈米晶片量産要等到2026年，比台灣晚4年。

      雖然臺海風險被指出，但實際上半導體過度集中于台灣的局面目前正在加強。今後這種風險可能進一步提高。

      日本經濟新聞此次進行的無人機拍攝遵守當地相關法規，由有資格者實施。