NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      富士電機將在2024～2026年度的3年內向半導體領域投資2000億日元規模。重點將放在用於純電動汽車(EV)電力控制等的功率半導體上，計劃在日本國內工廠新建碳化矽(SiC)功率半導體的生産線，提高産能。意在抓住不斷擴大的需求，帶動下一個增長。

富士電機將增産功率半導體

      據悉，與此前用作半導體材料的硅相比，碳化矽在高硬度和耐久性方面表現突出，能夠承受高電壓和高電流。

      在截至2023年度的為期5年的現有中期經營計劃中，富士電機一直以每年400億日元的速度在半導體領域展開投資。從2024年度開始的3年新中期經營計劃將改為每年700億日元，加速投資。

      具體來説，富士電機將在松本工廠(長野縣松本市)建設“光刻前工程”生産線。將在2027年度以後開始生産使用8英寸大型晶圓的碳化矽功率半導體。富士電機計劃從2024年度開始在津輕工廠(青森縣五所川原市)量産6英寸碳化矽功率半導體。通過進一步擴大晶圓尺寸，可用一塊晶圓切割的晶片數量將隨之增加，有望提高生産效率。