NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      日本名古屋大學的宇治原徹教授等人開發出了利用人工智慧（AI）高精度製造新一代半導體使用的碳化矽（SiC）結晶的方法。這種方法能將結晶缺陷數量降至原來百分之一，提高了半導體生産的成品率。2021年6月成立的初創企業計劃2022年銷售樣品，2025年實現量産。

      SiC與現在的主流半導體基板矽基板相比，節能性能更高。功率半導體是為實現脫碳社會有望普及的純電動汽車（EV）及電力控制等不可或缺的元器件，SiC是功率半導體最合適的材料。

     不過與矽相比，難以製造原子整齊排列的高品質結晶。製造結晶時，有很多需要調整的地方。比如：溫度、作為材料的溶液的濃度以及機械的結構等。難以找到良好的條件，確立將結晶尺寸增大到30釐米的技術用了幾十年。

功率半導體的形象圖

      研究團隊利用AI優化了多個項目。宇治原教授表示「讓AI學習模擬（模擬實驗）結果，導出了最佳條件」。經過4年的開發，可以製造能産業利用的約15釐米的尺寸了。

     試製的SiC結晶比現有結晶的缺陷數量大幅減少。宇治原教授表示「有缺陷的話，半導體的性能就不穩定，成品率差」。宇治原教授成立了生産銷售SiC結晶的名古屋大學創辦的初創企業「UJ-Crystal」，計劃實現量産。

     採用SiC基板的半導體已在美國特斯拉部分主打純電動汽車「Model 3」中負責馬達控制等的逆變器上採用。豐田也在2020年底推出的燃料電池車「MIRAI」的新款車上採用了電裝生産的SiC。