NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      原因是，維持“摩爾法則”（1塊半導體晶片可容納的電晶體元件數量在1年半～2年裏增至2倍）的技術主角正在從根本上發生改變。技術的代際更替將動搖領先者的優勢，存在給中國那樣的追趕者帶來趕超機會的可能性。

      此前的整合度的提高依靠“微細化”來實現，也就是説要使硅基板平面上遍佈的電路的線寬盡可能變得細微。但是，自線寬達到35奈米左右的2000年代後半期開始，在技術上變得越來越困難，微細化的腳步也日趨放緩。

      在此背景下，與在平面上進行微細化相比，通過將元件縱向安裝或使電路層本身實現多層堆疊、以此增加每塊晶片的元件數的“立體化”技術正在成為維持摩爾法則的主角。

      在用於智慧手機照片保存等的快閃記憶體領域，立體化已成為標準。據稱，在將電路層堆疊至128層的立體化取得進展的同時，一度微細化至約16奈米的電路線寬如今卻倒退回20～30奈米。

      在相當於個人電腦和智慧手機“大腦”的邏輯半導體和DRAM記憶體半導體（相當於擴大並存儲邏輯半導體處理的資訊的“處理裝置”）領域，也在發生從微細化到立體化的主角更替。

      如果採用立體化，在利用光線將電路圖投射到基板上、被稱為“光刻”的半導體製造工序方面，即使沒有採用波長極短的“極紫外線（EUV）”的最尖端技術，也將開闢製造高性能半導體的道路。

      要使用極紫外線，在覆膜和清洗等所有工序上，都需要支援極紫外線的最尖端裝置，但如果採用立體化，只要改進以此前的微細度為前提的裝置，即可開闢道路。雖然這也絕不簡單，但半導體業務顧問的大山聰表示“與極紫外線化相比，（立體化的）難度和成本的阻礙都將下降。而且，在快閃記憶體以外，立體化技術仍未確立”。

      現在能生産極紫外線光刻設備的企業在世界上只有荷蘭ASML。其基礎技術的智慧財産權很多由美國持有。因此，荷蘭政府也並未批准ASML向中國出口極紫外線光刻設備。

      如果是極紫外線以外的光刻設備，日本的尼康和佳能均有能力製造。據涉足製造設備市場調查的日本globalnet推算，從極紫外線的上一代光刻設備來看，尼康的份額2019年為8％，如果是上二代則是35％。上三代的話，佳能掌握26％。如果加強符合立體化的研究開發，市場份額的再次擴大也成為可能。