NIKKEI——日本經濟新聞中文版

     調查公司法國Yole Developpement預測稱，採用碳化矽的功率半導體的市場規模到2026年將增至2020年逾6倍的44億7820萬美元。

      此外，此前成為普及障礙的與硅的價格差也在縮小。名古屋大學的山本教授指出，由於市場形成帶來的量産效果等，“截至5年前達到10倍左右的價格差到目前縮小至2倍左右”。還出現推進碳化矽基板的大口徑化的企業，存在成本進一步下降的空間。

      在日本企業中，羅姆提出到2025年度在採用碳化矽的半導體市場掌握全球份額3成這一目標。該公司2010年在世界上首次量産碳化矽制電晶體，一直主導實用化。2009年收購的德國SiCrystal公司涉足碳化矽基板，從材料開始構建了一條龍生産體制。

羅姆採用碳化矽材料的半導體

     羅姆計劃將産能相比2019年度提高至5倍以上，最近在福岡縣的主力工廠建成了新廠房。據稱已有數款預定今後上市的純電動汽車決定採用。還與中國汽車廠商吉利汽車在新一代半導體領域展開了技術合作。羅姆董事伊野和英錶示，“此前為了推動碳化矽市場的形成，各半導體企業一直展開闔作，但目前終於進入了企業之間展開競爭的階段”。

      猶如追趕碳化矽一樣，各種新材料的應用開發正在推進。強有力競爭者之一是氮化鎵。這是作為藍色發光二極體（LED）的基板而開發出來的源自日本的技術，如果應用於功率半導體基板，與硅相比，有望將電力損失減少至10分之1左右。即使與碳化矽比較，也具有能支援高速運動等的優勢。

     在充電器等部分用途上，實用化正取得進展，但大部分為與硅等其他材料結合的産品，並未充分發揮材料本來的性能。大阪大學的森勇介教授等人的研發團隊正在攜手豐田合成等，聯合開發僅用氮化鎵、穩定量産直徑6英寸晶圓的技術。

  半導體微細化面臨極限，需要新材料

      新材料研發相繼展開的背景是，現有半導體的性能提高日趨面臨極限。此前，以半導體性能在18個月～2年裏提高至2倍的“摩爾定律”為基礎的電路微細化構成支撐，但有觀點認為，目前電路線寬已在5奈米（奈米為10億分之1米）以內實現實用化，物理極限已經臨近。

      此外，節能化的浪潮也將推動研發。如果半導體的性能提高陷入停滯，純電動汽車和數據中心等有可能消耗巨大電力。晶片的堆疊等各種方式正在被嘗試，另一方面，取代硅的新材料也備受期待，處於研發階段的項目相繼推進。