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半導體新材料主導權爭奪拉開序幕

2021/09/08

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半導體

    

     從美國德克薩斯大學奧斯汀校分拆(spin-out)出來的美國LAB91正在開發將碳原子薄膜「石墨烯」在晶圓上堆疊,借此提升性能的技術。在實驗階段取得成功,與半導體廠商啟動了量産的驗證。將有助於用於汽車和智慧手機的攝像頭零部件、發揮「眼睛」作用的CMOS(互補金屬氧化物半導體)感測器和LED的高性能化等。

    

     安達滿奈米奇精密寶石有限公司(Adamant Namiki Precision Jewel Co., Ltd,位於東京足立區)和佐賀大學利用比碳化矽更加穩定的特性,開發出了採用被稱為「終極半導體材料」的鑽石的功率半導體製造技術。據稱與矽相比,理論上能將電力損耗減少至5萬分之1。

    

      從鑽石來看,基板的大型化此前屬於課題,但在工藝方面下工夫,世界最大的1英吋大小的工廠生産取得成功。在研究室的階段,還生産出被認為元件生産最低限度所需的2英吋。不過,目前鑽石造基板的製造成本達到矽的數千倍。要邁向實用化,如何降低這種成本變得重要。

   

 

      基板以外的材料開發也在推進。從美國卡內基梅隆大學獨立出來的美國ARIECA開發了將熱傳導性卓越的液體金屬、被稱為「彈性材料」的猶如橡膠一樣延展的材料結合起來的材料。以用於半導體冷卻的金屬零部件媒介的形式使用,與此前材料相比,將散熱效果提高5成以上。

    

      在半導體領域,作為取代微細化的提高性能的措施,在一個封裝裏整合多個半導體的技術受到關注。如果以高密度整合,産生熱量成為課題,但如果該企業的技術成功實現,能在有限的體積內整合大量電路,能提高運算性能。

    

      日本經濟産業省在6月發佈的半導體戰略中,提出為碳化矽、氮化鎵和氧化鎵等「革新材料」的研發和投資提供支援。除了功率半導體大型企業所在的歐洲和美國之外,中國也將積極研發半導體新材料。為了進一步提高半導體的性能,「矽之後」的主導權競爭已拉開序幕。

    

    日本經濟新聞(中文版:日經中文網)龍元秀明、張耀宇、渡邊直樹

    

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