NIKKEI——日本經濟新聞中文版

     從美國德克薩斯大學奧斯汀校分拆（spin-out）出來的美國LAB91正在開發將碳原子薄膜“石墨烯”在晶圓上堆疊，借此提升性能的技術。在實驗階段取得成功，與半導體廠商啟動了量産的驗證。將有助於用於汽車和智慧手機的攝像頭零部件、發揮“眼睛”作用的CMOS（互補金屬氧化物半導體）感測器和LED的高性能化等。

     安達滿奈米奇精密寶石有限公司（Adamant Namiki Precision Jewel Co.， Ltd，位於東京足立區）和佐賀大學利用比碳化矽更加穩定的特性，開發出了採用被稱為“終極半導體材料”的鑽石的功率半導體製造技術。據稱與硅相比，理論上能將電力損耗減少至5萬分之1。

      從鑽石來看，基板的大型化此前屬於課題，但在工藝方面下工夫，世界最大的1英寸大小的工廠生産取得成功。在研究室的階段，還生産出被認為元件生産最低限度所需的2英寸。不過，目前鑽石造基板的製造成本達到硅的數千倍。要邁向實用化，如何降低這種成本變得重要。

      基板以外的材料開發也在推進。從美國卡內基梅隆大學獨立出來的美國ARIECA開發了將熱傳導性卓越的液體金屬、被稱為“彈性材料”的猶如橡膠一樣延展的材料結合起來的材料。以用於半導體冷卻的金屬零部件媒介的形式使用，與此前材料相比，將散熱效果提高5成以上。

      在半導體領域，作為取代微細化的提高性能的措施，在一個封裝裏整合多個半導體的技術受到關注。如果以高密度整合，産生熱量成為課題，但如果該企業的技術成功實現，能在有限的體積內整合大量電路，能提高運算性能。

      日本經濟産業省在6月發佈的半導體戰略中，提出為碳化矽、氮化鎵和氧化鎵等“革新材料”的研發和投資提供支援。除了功率半導體大型企業所在的歐洲和美國之外，中國也將積極研發半導體新材料。為了進一步提高半導體的性能，“硅之後”的主導權競爭已拉開序幕。

    日本經濟新聞（中文版：日經中文網）龍元秀明、張耀宇、渡邊直樹