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日美將開展比2奈米更尖端半導體技術合作

2022/05/03

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半導體

       日美兩國政府將合作構建最尖端半導體供應鏈。雙方近期就在電路線寬比2奈米更尖端的領域進行合作及以中國為設想建立防止技術外流的框架等達成一致。在中美對立的背景下,半導體在經濟安全保障上越來越重要。出於半導體採購依賴台灣企業等的危機感,日美將強化合作。

       

日美將以半導體廠商等參與的形式,在最尖端半導體開發上展開闔作(美國英特爾的無塵車間)

  

      日本半導體廠商的競爭力下降,但在半導體製造設備、用於硅晶圓和電路形成的光刻膠(感光劑)及半導體表面研磨劑等關鍵技術方面仍掌握優勢。

 

      關於臺積電(TSMC)在開發和量産準備方面領先的2奈米産品,美國IBM也已于2021年試製成功。在日本的産業技術綜合研究所(茨城縣築波市),東京電子及佳能等設備廠商正在開發面向尖端生産線的製造技術,IBM等也參與其中。

 

      雙方將利用日美的技術和材料,建立可以穩定生産和採購最尖端半導體的體制。

  

      日本經濟産業相萩生田光一自5月2日起訪美。他將與美國商務部長雷蒙多舉行會談,並公佈關於推進半導體領域合作的聲明。核心是在尖端領域的實用化和量産上開展合作,候選技術是比現在的最尖端技術提前2代的“2奈米産品”之後的技術及美國英特爾所擁有的“小晶片(chiplet)”技術。

  

  

      日本政府為了強化國內生産,在九州引進了臺積電的工廠,但生産的半導體産品的電路線寬為1020奈米左右,性能較低。日本瞄準尖端産品的此次合作的定位是引進臺積電之後的下一步動作

 

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