NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      南韓三星電子6月30日發佈消息稱，已啟動新一代尖端半導體的量産。影響半導體性能的電路線寬為3奈米（奈米為10億分之1米），三星方面稱屬於“世界最領先的技術”。將加快尖端技術的開發，追趕在半導體代工領域排在世界首位的臺積電（TSMC）。

三星在南韓華城園區啟動了最尖端的3奈米晶片量産

      三星首次採用了被稱為“全環繞柵極 (gate-all-around，簡稱GAA)”工藝的晶片結構。據稱可高效控制微細電路內的電流，與正在量産的5奈米晶片相比，電力消費將減少45％，晶片面積也縮小16％。

      三星已在設有半導體研究所的南韓華城園區啟動量産。首先將用於高性能電腦，今後還將應用於智慧手機運算晶片。並未透露3奈米的最尖端半導體的客戶名稱。

      臺積電計劃今年下半年量産3奈米半導體。不過，行業內一般認為，電路線寬的測量方法因企業不同而存在差異，難以單純比較。實際情況是很難説三星的“世界最領先技術”超過臺積電。

      在半導體代工領域，兩家公司的差距明顯。台灣調查公司集邦諮詢（Trend Force）統計顯示，2022年1～3月臺積電的市場份額為53.6％，遠超居第2位三星的16.3％。三星在推動5奈米晶片啟動量産和提高成品率走上軌道方面耗費較長時間，也有觀點對“3奈米量産”的評價持慎重態度。

      日本經濟新聞（中文版：日經中文網）細川幸太郎 首爾