NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　各半導體廠商將積極投資控制電力的功率半導體。瑞薩電子2025年將推出使用碳化矽（SiC）的高效率型産品，羅姆和三菱電機也將相繼增産。除了純電動汽車（EV）外，隨著生成式AI的問世，來自數據中心的需求迅速擴大。

SiC半導體的電力效率比原有産品高（羅姆的SiC半導體）

　　瑞薩已從7月開始出貨使用SiC材料基板的功率半導體樣品。將從美國大企業採購基板，2025年在高崎工廠開始量産SiC産品。已停工的甲府工廠也會重新啟動，將把與硅半導體合計的産能提高到過去的2倍。合計投資額約為1000億日元。

　　SiC是碳與硅的化合物，能承受比傳統硅更高的電壓和更大的電流，可以減少電力消耗。SiC功率半導體裝入EV驅動裝置中，可以延長行駛距離，此外來自數據中心的SiC需求也迅速擴大。

　　隨著廣泛産業利用AI，數據處理量和耗電量猛增。全球數據中心的耗電量到2030年將達到6700億千瓦時，是2018年的大約4倍。大量使用電力的伺服器的節能成為課題，高效率的功率半導體越來越重要。

　　SiC産品的價格比硅産品高3～4倍，“在推進大型投資的數據中心領域，把電力效率高的SiC用於伺服器的情況越來越多”（名古屋大學的山本真義教授）。

　　在2010年代中期，功率半導體以硅半導體為主，課題是電流通過時部分會作為熱量流失。從2010年代後半期開始，SiC使用的保護膜的絕緣性能提高，電力損失減少，耐用性也提高。

　　日本企業羅姆在全球SiC産品市場佔有很高份額。該公司將於2024年末在宮崎縣啟動SiC功率半導體新工廠。面向SiC領域總體投資5100億日元，到2027財年使SiC功率半導體的銷售額增至2022財年的9倍，達到2700億日元。