NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      源自日本廣島大學的初創企業MATERIAL GATE致力於開發比以往更省電、密度更高的記憶體材料。據悉，通過使用單個分子就能攜帶1比特資訊的新材料，不僅可使容量增加到1000倍，還能使電腦的耗電量降低9成。該公司認為，這種材料有助於帶來技術革新，既能減少對環境的不良影響又能處理龐大資訊。

       該公司將使廣島大學研究所先進理工系科學研究專業教授西原禎文等人的研究成果實現商業化。西原教授等人的研究團隊發現，一種名為「Preyssler型多金屬氧酸鹽」的1奈米分子能夠作為「單分子電介質」，1個分子就能攜帶「0或1」的1比特資訊。

       該分子由鎢、氧、磷原子構成，呈箱型結構，有兩處位置可供金屬離子停留。據悉可以根據離子停留的位置來表達0或1，有望成為斷電後也不會丟失存儲數據的「非易失性」記憶體的材料。此前業界一直認為只有晶體才具備這種性質，其微細化程度有限。

單分子電介質示意圖。上下有兩處位置可以讓離子穩定存在，能夠表達0或1的資訊

       記憶體分為兩種，一種是沒有電源也能繼續保持存儲數據不丟失的「非易失性」記憶體，比如用作電腦硬碟的磁性記憶體，另一種是DRAM、SRAM等斷電後會丟失資訊的「易失性」記憶體。

       非易失性記憶體雖比易失性記憶體省電，但存在運作慢、可擦寫次數有限等缺點。如果使用此次的分子，不僅可以解決這些問題，而且與以往的非易失性磁性記憶體相比，在同樣體積下有望保存1000倍左右的資訊。據悉，如果將易失性記憶體換成非易失性，可使電腦的耗電量減少9成。

       為了實現商業化，社長中野佑紀和西原教授於6月共同以300萬日元註冊資金成立了MATERIAL GATE。計劃首先在2023年度內從商業公司及風險投資公司那裏融資1億日元左右。

MATERIAL GATE社長中野佑紀（左）和聯合創始人廣島大學教授西原禎文

       MATERIAL GATE已經開始通過試製品確認運作情況，今後將推進記憶體材料的産品化。將向半導體相關企業等提供材料和技術，甚至還將負責將其封裝成記憶體。首先力爭用此次的記憶體替換用作電腦暫存等的易失性SRAM等。預計2025財年（截至2026年5月）通過共同研究資金等實現4.2億日元左右的銷售額。預計到2030年以後實現實用化。

       中野社長出身於大阪府，曾在大阪的化工企業工作，在廣島大學研究所求學期間師從西原教授，由於這一淵源而承擔起了商業化的目標。廣島縣有美國美光科技的工廠等諸多半導體相關産業，與因台積電（TSMC）建設新工廠而沸騰的九州之間擁有便利的交通，因此中野認為這裡「地理位置優越」。

       日本經濟新聞（中文版：日經中文網）長沼俊洋