NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      日本早稻田大學乘松航教授等人的研究團隊開發出了加熱平整半導體基板表面的方法。比傳統研磨方法更便捷，性能也更高，因此有利於改進半導體的製造工序。

加熱後，表面的落差縮小

       團隊利用純電動汽車（EV）等的電力控制所需要的功率半導體材料碳化矽（SiC）進行了確認。碳化矽基板是把晶 塊切成薄片來製造，截面上容易形成凹凸，不能直接使用。過去是結合多種方法進行研磨，但存在著內部容易出現損傷、表面形成落差的問題。

       研發團隊把利用機械研磨後的碳化矽基板在氬氣和氫氣中加熱10分鐘到攝氏1600度，然後在1400度下保持一段時間。這時，表面從原子層面變得平整。由於只要加熱即可，比傳統方法更輕鬆，有利於縮短製造工序的時間並降低成本。除了碳化矽以外，有可能可以用於結晶構造相似的半導體材料氮化鎵（GaN）及砷化鎵（GaAs）。