NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      日本的東京農工大學與大陽日酸CSE開發出了新一代功率半導體“氧化鎵”的低成本制法。利用氣體供應原料，在基板上製造晶體，可以減少設備的維護頻率，也可以降低運營成本。大陽日酸正準備設備的商用化，客戶有需求就可以供貨。

利用“有機金屬化學氣相沉積法”使氧化鎵高速增長（東京農工大學提供）

      有望實用化的方法是“有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料，可以在基板上製造出氧化鎵的晶體。

      現有的制法是“氫化物氣相外延（HVPE）法”，新制法可以製成此前實現不了的高頻器件。

      氧化鎵是耐壓性超過“碳化矽”和“氮化鎵”的功率半導體材料，可以降低電力轉換時的能源損失。有望用於純電動汽車（EV）、白色家電及光伏發電等廣泛用途。目前已有數家企業實現實用化，富士經濟的調查顯示，市場規模到2030年將達到470億日元。

      此次，開發出“有機金屬化學氣相沉積法”的東京農工大等團隊將晶體的生長速度提高到了每小時約16微米，達到原來的約16倍。東京農工大學教授熊谷義直表示：“這是與氫化物氣相外延法並列的水準”。

      除了立式結構的功率器件外，還可以製造“高電子遷移率電晶體（HEMT）”這種橫式結構，有利於通信設備的高頻工作。利用傳統的氫化物氣相外延法，難以與高電子遷移率電晶體所需的鋁進行混晶。