NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　源自東北大學的初創企業C&A與東北大學教授吉川彰的研發團隊開發出一種技術，能以此前100分之1的成本製造有助於節能的新一代功率半導體的原材料“氧化鎵”。新技術不需要昂貴的設備，成品率也將提高。計劃在2年內製造出實用化所需的大尺寸結晶。

製造出的氧化鎵結晶的大小約為5釐米（圖由東北大學吉川教授提供）

　　研發團隊開發出了通過直接加熱原料來製造氧化鎵結晶的設備，製造出了最大約5釐米的結晶。將原料裝入用水冷卻的銅質容器，利用頻率達到此前約100倍的電磁波，使原料熔化。

　　傳統方法是加熱使用貴金屬銥製造的容器，熔化其中的材料，製造結晶。要製造直徑約15釐米的實用性結晶，僅容器就需要3000萬～5000萬日元，還存在結晶的品質不夠穩定等課題。

　　據稱由於不需要昂貴的容器等原因，利用新方法能以目前約100分之1的成本製造氧化鎵結晶。力爭在2年內製造出直徑15釐米以上的結晶。

新方法不採用貴金屬銥，利用銅容器製造結晶（圖由東北大學吉川教授提供）

　　現在的功率半導體主要把硅用於基板，但課題是會産生電力損耗。氧化鎵與碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等一起，作為新一代材料受到期待。據稱氧化鎵的電力損耗在理論上僅為硅的約3400分之1、碳化矽的約10分之1。

　　如果純電動汽車（EV）的馬達驅動用電源採用氧化鎵制的功率半導體，就算電池容量相同，也能行駛更遠距離。C&A和東北大學的團隊將利用新方法降低此前成為瓶頸的生産成本，推動實用化。