NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      日本名古屋大學和旭化成的研究團隊通過研究證實，使用氮化鋁的功率半導體可比碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）大幅降低電力損失。純電動汽車（EV）等配備的功率半導體如果使用氮化鋁，有可能可以延長續航距離。

研究人員製造了氮化鋁材質的pn結二極體（名古屋大學提供）

      負責EV等電力轉換的功率半導體目前使用硅、碳化矽及氮化鎵等材料。這些材料在功率半導體通電及反覆打開關閉開關時，電會變為熱而逃逸，因此會産生電力損失。為了延長EV續航距離及擴大利用可再生能源，採用損失更小的材料受到期待。

      氮化鋁理論上比硅等的電力損失小，但難以製作元器件，一直沒有被用於實證。功率半導體需要電子流動機制不同的2種半導體，而用氮化鋁難以製造。

      此次，研究團隊在旭化成的氮化鋁基板上，用不同於原來的做法製造了2種氮化鋁半導體，結果電子流動順暢。據此構建了“pn結”這種對功率半導體不可或缺的結構。分析性能發現，單純計算可將電力損失降至碳化矽及氮化鎵的八分之一。

      名古屋大學的須田淳教授表示：“此次的成果表明氮化鋁的品質良好。希望大約5年後，發佈多種元器件”。