NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      中山淳史：估計今年秋季以後，半導體相關新聞仍將不斷出現。日本和美國在前些日子的外交和經濟部長參加的日美“經濟版2+2”會談中，針對聯合研發任何企業都未量産的電路線寬“2奈米（奈米為10億分之1米）”的最尖端半導體達成協定。外界關注的是哪家民營企業會參與研發。

      根據發佈的消息，美國國立研究機構和日本的大學計劃在日本國內成立聯盟，但除此以外浮出水面的是在半導體微細化研究方面走在世界最前列的IBM和英特爾的參與。

      兩家企業或其中一家有可能提供技術平臺，與日本的製造設備和原材料廠商合作開發在日本用於數據中心和自動駕駛等的高性能晶片的量産技術。汽車和通信企業也被認為將參與其中。

      有報道稱，日本經濟産業相萩生田光一在黃金週期間考察了位於美國紐約州的IBM的研究所，日本方面感興趣的是該公司主導的聯盟擁有的“FinFET”和“全環繞柵極  (gate-all-around、簡稱GAA)”等技術。尤其是後者，這是決定半導體處理能力（電晶體的整合數）在1年半～2年裏翻番這一“摩爾定律”今後能否繼續維持的重要技術。南韓的三星電子最近利用這項技術，在“3奈米晶片”（2奈米的上1代）的量産化方面取得了進展。

      日美由敵對邁向加強合作

      日本的半導體産業曾經位居世界第一，但微細化的水準目前停留在40奈米左右。時鐘的指針停在了3奈米的6～7代之前，按時間來説則是10多年之前。

手拿半導體晶片、呼籲加強半導體等供應鏈的美國總統拜登（2021年2月，華盛頓，UPI-KYODO）

      背後原因是在1980年代以後的日美貿易摩擦中，美國迫使日本接受了不利的競爭條件。與此同時，日元升值導致日本電子産品失去競爭力，這也産生巨大影響。那麼為何如今“日美聯手推進最尖端技術開發”呢？這是因為時代的需求已發生巨大改變。