NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       日本産業技術綜合研究所（簡稱産綜研）成功試製了把受到關注的新一代功率半導體材料碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）合為一體的半導體。要實現電子産品和純電動汽車（EV）的節能化，用於電力轉換的功率半導體是必不可少的。通過結合兩種特性不同的材料，兼顧較高的轉換效率和可靠性。

日企的碳化矽半導體（資料圖，與本文無直接關聯）

       碳化矽和氮化鎵用於功率半導體的基板。與採用硅的通常的功率半導體相比，電力的轉換效率更高。碳化矽的可靠性更為卓越，應用於鐵路車輛和純電動汽車，而氮化鎵的運作效率高，應用於智慧手機的快速充電器。例如，美國特斯拉的部分主力純電動汽車的逆變器上應用了碳化矽半導體。

       産綜研在碳化矽基板上製造二極體和氮化鎵的電晶體，開發出了兼具兩方面優點的半導體。在位於茨城縣築波市的研究基地“TIA”，成功進行了採用直徑100毫米基板的功率半導體的試製和試運作。

       該半導體支援的電流在試製階段約為20毫安培，今後將為了實用化而開發支援10安培以上電流的功率半導體。未來力爭應用於小型純電動汽車搭載的逆變器、以及光伏太陽能發電設備的電源調節器（電力轉換裝置）。

       圍繞新一代功率半導體，旨在引進氧化鎵和鑽石等其他新材料的研究開發也在推進。

       不過，這些材料的全面普及被認為需要較長時間。産綜研的先進功率電子研究中心功率器件團隊的研發負責人原田信介表示，“通過（現有的碳化矽和氮化鎵的）組合，能使技術無縫銜接”。