英特爾要靠3D技術逆襲半導體細微化
2020/12/17
英特爾通過在使堆疊起來的晶片縱向貫穿的電極方面下工夫等措施,攻克了難題。英特爾副總裁Chris Walker充滿信心地表示「(這一技術)將成為推動個人電腦行業發展願景的試金石」。2021年以後,預計在多個機型上應用。
背後存在英特爾在左右半導體性能的「微細化」方面落後這一危機感。寫入晶片的電路的線寬越細微,越能增加電晶體的搭載量並推動半導體的性能提升。
在半導體微細化技術方面領先的台積電今年開始向美國蘋果供應5奈米(奈米為10億分之1米)産品。南韓三星電子也將推進供貨準備。
另一方面,英特爾在屬於1代之前的7奈米的CPU開發上耗費時間,預計量産最早也要等到2022年。在7月的財報發佈會上,該公司首席執行官(CEO)鮑勃·斯萬(Bob Swan)表示「將在緊急對策的範圍內,討論將生産委託給(外部)」。
電路的線寬越是微細化,半導體量産所需的設備投資也將膨脹。要新建最尖端的5奈米工廠,需要數萬億日元規模的資金。英特爾的2019年研發(R&D)和設備投資費用達到296億美元。
半導體行業相關人士指出,為走出困境,「英特爾在微細化仍然落後的情況下,搶在競爭對手之前啟動了3D堆疊技術的開發」。如果以立體形式堆疊晶片,即使是相同電路寬度,也能增加搭載的電晶體數。不過,要實現趕超並非易事。
台積電正通過與客戶的合作來推進3D技術的開發。眼下,台積電似乎與谷歌在私底下合作,準備最早在2022年啟動3D産品的量産。
三星電子8月宣佈,採用3D封裝技術的7奈米半導體的試製取得成功。該公司高管表示「如果利用3D這種創新,就能夠跨越半導體的極限」。
英特爾聯合創始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出了CPU性能在1年半~2年裏翻一番的「摩爾定律」。不過,拉動過去50年發展的微細化技術正在接近物理的極限。
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