NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      鎧俠則力爭在自身的快閃記憶體生産線引進奈米壓印。將來，在新涉足比15奈米更加微細的半導體之際，有可能充分加以利用。

      日本以外的半導體廠商也在關注奈米壓印。由於需要設備和原材料等廣泛技術，日本暫時走在前面，如果實現實用化，將是世界首次。

      製造成本降低4成，耗電量降低9成

      目前，線寬微細的尖端半導體在光刻工序中採用被稱為“極紫外（EUV）”技術的設備，全球只有荷蘭ASML生産這種設備。該設備1台被認為需要約200億日元左右，還需要專用的測試設備和耗費大量電力。如果引進奈米壓印，部分昂貴設備可以省去，在大規模工廠，有望以數百億日元規模減少設備投資額。

      美國英特爾今年3月宣佈在美國亞利桑那州投入200億美元建設工廠。世界最大半導體代工廠商臺積電（TSMC）也計劃投入120億美元，在該州建設工廠。對半導體大企業來説，以萬億日元為單位的鉅額設備投資成為瓶頸。

      奈米壓印能省掉成本巨大的光刻工序的一部分，與極紫外光刻相比，能將該工序的製造成本降低4成，耗電量降低9成。

      在電價高於其他國家的日本以及電力短缺嚴重的國家和地區較容易引進，還能同時滿足推進二氧化碳減排的半導體企業的需求。眼下，投資者等要求削減製造階段二氧化碳排放量的呼聲正在加強。

      2020年下半年浮出水面的全球半導體短缺目前進一步加劇，半導體廠商推進增産的投資意願正在提高。目前短缺的半導體大部分能利用奈米壓印，在廣泛半導體的生産方面值得期待。