NIKKEI——日本經濟新聞中文版

　　羅姆將在2022年春季之前開始量産被視為新一代半導體的氮化鎵（GaN）半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”，據稱和此前的硅半導體相比，新産品能把電流切換時的損耗減少6成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設生産設備，首先面向5G基站等供貨。

　　氮化鎵功率半導體不適合需要高電壓和大電力的電動列車和純電動汽車（EV）等，但在需要以高頻度切換電流的數據中心和通信基站領域具有需求。羅姆的功率半導體的特點是，具備即使暫時發生較高電壓、也不易損耗的自主結構。

羅姆自2021年啟動樣品供貨的氮化鎵半導體

　　羅姆將量産能承受150伏電壓的産品，用於數據中心和通信基站。在2021年9月，已經啟動樣品供貨。新産品採取在硅晶圓之上形成氮化鎵層的結構，包括濱松市工廠在內，羅姆將在海內外各基地進行生産。

　　圍繞濱松市工廠的設備投資，由於對日本國內的脫碳化有益，根據日本的産業競爭力強化法，享受了一定的稅費減免措施。

　　除了氮化鎵半導體以外，羅姆還在量産新一代碳化矽（SiC）功率半導體。碳化矽功率半導體更高耐壓，將面向純電動汽車的核心零部件銷售，實現兩種功率半導體的分棲共存。

　　羅姆力爭在2025財年（截至2026年3月）之前，使半導體元件業務的營業收入達到目前的1.5倍，增至2100億日元規模。