NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      5月，日美兩國簽署了“半導體合作基本原則”，提倡推進有關尖端技術的聯合研究。作為研發基地，日本經濟産業省計劃年內啟動“技術研究組合最尖端半導體技術中心（LSTC）”。除了以Rapidus為代表的日本國內外的企業和研究機構之外，海外的機構也將參加。預計美國IBM等參加，承擔尖端産品製造的關鍵技術的開發。

      2奈米屬於技術的過渡期。這是因為隨著電路變得微細，將産生某種“漏電”，高效的電流控制變得困難。各企業將採用名為“環繞式柵極技術 (簡稱GAA)”的新元件結構，正在解決這一問題。美國IBM曾在2021年成功試製GAA結構的2奈米半導體産品。如果充分利用基礎技術，存在加快趕超的可能性。

      Rapidus的任務是與日本國內外的業內企業保持一致步調，掌握製造技術，建立有利可圖的商業模式。經營首腦需要在多家企業出資、政府提供支援、與海外合作等利害關係錯綜複雜的背景下，以前所未有的速度推進技術開發和投資。

      “最後的機會”

      小池截至最近在記憶體大企業美國西部數據(Western Digital)擔任日本法人首腦。而出任會長的東哲郎也作為Tokyo Electron的首腦，曾負責與美國設備企業的合併談判，還出任了日本國家半導體戰略相關會議的主席。在日美兩國的半導體行業具有人脈的2人將擔負起領導這項艱巨任務的工作。

      小池留有苦澀的回憶。2000年日立製作所和台灣半導體企業UMC（聯華電子）合資成立了半導體企業Trecenti技術。作為日立的技術人員出身的小池也參與了該公司的籌建，還擔任了社長。

      Trecenti在世界上率先掌握了採用大口徑硅晶圓的量産技術。小池描繪了代工業務的構想，但日立與UMC的步調沒能保持一致，結果遭遇挫折。

      “堅信日本具備能順利造出半導體的技術。此次是（我們）獲得的最後機會”，被問及尖端半導體日本國産化計劃有無勝算，小池這樣回答。對於作為技術人員經歷行業的盛衰、意外錯失東山再起機會的自身來説，這也是一雪前恥之戰。