日美向2奈米半導體邁出一步
2023/06/13
為了推動新一代半導體的國産化,日本和美國已經開始合作。日本Rapidus向美國IBM派遣了100名技術人員。目標是掌握電路線寬2奈米的時代所需的GAA(全環繞柵極)技術。在技術變革之際,日本押上了重振半導體的命運。
2奈米半導體的處理性能被認為比3奈米提高10%。耗電量能降低2~3成,對生活的影響很大,包括智慧手機的電池續航時間變長等。而在支撐人工智慧(AI)和自動駕駛的進步方面,2奈米半導體的實現也受到期待。
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美國東部紐約州建有IBM的半導體研究設施奧爾巴尼奈米技術中心(Albany Nanotech Complex)。在這裡,「日本的優秀人才和身在海外的日本技術人員開始匯聚」,IBM主管研究開發的高級副總裁達里奧·吉爾表示。
Rapidus于2022年12月與IBM針對轉移IBM的2奈米技術達成合作。IBM于2021年在全球率先試製出2奈米半導體,Rapidus支付授權費,向IBM學習技術。4月派出了第一批人員。
人類所能掌握的最難的技術之一
Rapidus正在加緊招聘技術人員。瞄準日本在半導體領域具有一定存在感的1990~2000年代前半期在大型電子企業從事開發的人才等。但是,掌握2奈米技術並非易事。
達里奧·吉爾表示,「製造時需要原子級的控制。表面加工、光刻、電晶體成型和性能控制等均需達到無與倫比的精度。這是人類所能掌握的最難的技術之一」。
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IBM高級副總裁達里奧·吉爾 |
Rapidus將於2025年4月在北海道千歲市設立試製生産線。如果其準備工作取得進展,將在紐約和北海道同步推進各種開發。達里奧·吉爾表示,「重點是能否提高生産率」,強調一大目標是成功實現Rapidus力爭2027年啟動的量産。
對於已經開始的合作,日本政府不遺餘力地提供支援。日本經濟産業省4月表明向Rapidus追加2600億日元的補貼,列舉了向IBM派遣人員的主要用途。
日本政府和相關企業合作為重振半導體而採取行動,原因不僅僅是經濟安全保障。當前正處於技術的過渡期,存在施展拳腳的機會。
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